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产品：   序号 名称 1 2.5G APD雪崩光电探测器  2 Fulllens PIN 光电二极管 3 InGaAs APD雪崩光电二极管 4 InGaAs PIN光纤耦合输出光电二极管 5 InGaAs PIN光电二极管 6 微型封装（MINI CAN）InGaAs PIN光电探测器 7 高速硅PIN光电探测器 8 硅光电探测器 9 一维位敏光电探测器 2.5G APD雪崩光电探测器  特点：         小电容         高速率         高响应度         高稳定性         TO-Can封装或带光纤耦合输出    应用：         2.5Gb/s 光传输系统   光学和电子参数 （工作温度：-40~+85°C，工作电压：VR=0.9VB ） 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 响应光谱范围 λ  1260 - 1600 nm 光敏面直径 φ 50 um APD 击穿电压(Id=10μA) VB  40 50 60 V APD击穿电压温度系数 (Ipd=10μA) Γ  - - 0.15 V/°C 暗电流(25°C) (VR=0.9VB) Id - - 100 nA 响应度(λ=1310nm) (M=1) R 0.8 - - A/W 回损(λ=1310nm) ORL - - -30 dB 电容(VR=0.9VB, f=1MHz) C - - 0.7 pF 带宽(-3dB, RL=50Ω, M=9 ) BW 2 - - GHz    光纤参数 参数   单模   单位 最小值 典型值 最大值 光纤长度(L) 0.96 1 1.04 m 纤芯直径 - 9 - µm 包层直径 - 125 - µm 套管直径 - 0.9 - mm Fulllens PIN 光电二极管   特点：          体积小，重量轻          高响应度          超低暗电流          工作稳定可靠    应用：        光纤通信数据        图像传输        光纤传感光测量        仪器仪表    光电特性（T = 25℃，Vr = 5 V） 参数 指标 测试条件 光敏面直径（µm） 1000   带宽（GHz） 1.5/0.5 RL = 50 Ω 响应度（A/W） ≥0.85   暗电流（nA） ≤5nA   结电容（pF） ≤10pF   响应度一致性（dB） ±0.2 λ = 1530～1620 nm, T = -10～+85℃ InGaAs APD雪崩光电二极管     特点：           高响应度           高速           平面正照型           TO-Can封装或带尾纤输出           最大可用增益达到20    应用：           光通讯接收设备           CATV接收机           OTDR  光电特性（T = 22℃） 参    数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 光谱响应范围（nm） λ   1000   1700 光敏面直径(um)     φ50 响应度（A/W） Re λ=1.55um,M=10,φ=1uw 8.0 8.5   击穿电压（V） VBR ID=100uA, φ=0 30   60 击穿电压温度系数（V/℃） δ TC=-40~+85℃   0.1 0.15 暗电流（nA） ID M=10, φ=0   1 10 总电容（pF） Ctot M=10, φ=0,f=1MHz   0.6 1.0 响应时间（ns） fT M=10, φ=0, λ=1.55um 0.15 0.3 0.5 最大可用增益 Mmax VR=0.98VBR 20     推荐工作电压（*VBR） VR M=10, φ=1, λ=1.55um 0.9   0.95 具体性能指标见每支器件参数  InGaAs PIN光纤耦合输出光电二极管    特点：         高响应度         高速         低暗电流，小电容         平面结构         带尾纤输出或带FC/ST/SC/LC接口的直插式    应用：         LAN         FDDI         SONET OC-3/SDH STM-1         SONET OC-12/SDH STM-4         SDH-DLC         光功率计    光电特性（T = 25℃，Vr = 5 V） 参    数 最小值 典型值 最大值 响应光谱（nm） 850   1650 响应度（A/W） λ = 1300 nm 0.80 0.85   λ = 1550 nm 0.85 0.90   光敏面直径(um) φ55，φ75，φ300， φ500，φ1000，φ2000 暗电流（nA）   0.30 0.80 电容（pF）   0.40 0.80 响应时间（ns） 0.15 0.30 1.15 3 dB带宽（GHz）   1.50   饱和光功率（mW） 2     尾纤类型 FC/ST/SC/LC InGaAs PIN光电二极管 　    特点：        高响应度        高速        低暗电流，小电容        平面结构        FC/ST/SC接口的直插式，或TO-CAN，光纤式封装    应用：         LAN         FDDI         SONET OC-3/SDH STM-1         SONET OC-12/SDH STM-4         SDH-DLC         光功率计 　    光电特性（T = 25℃，Vr = 5 V） 参    数 最小值 典型值 最大值 响应光谱（nm） 850   1650 响应度（A/W） λ = 1300 nm 0.80 0.85   λ = 1550 nm 0.85 0.90   光敏面直径(um) φ55，φ75，φ300， φ500，φ1000，φ2000 暗电流（nA）   0.30 0.80 电容（pF）   0.40 0.80 响应时间（ns） 0.15 0.30 1.15 3 dB带宽（GHz）   1.50   饱和光功率（mW） 2     微型封装（MINI CAN）InGaAs PIN 光电探测器    特点：         微型封装         封装尺寸≤2.41 mm         高响应工作电压5 V         超低暗电流         单针脚密封         工作温度-40～+85℃    应用：         光纤通信数据         图像传输         光纤传感光测量         仪器仪表 　    光电特性（T = 25℃，Vr = 5 V） 参数 指标 测试条件 光敏面直径（µm） 75/300   带宽（GHz） 1.5/0.5 RL = 50 Ω 响应度（A/W） λ = 1310 nm 0.85/0.80   λ = 1550 nm 0.90/0.85   暗电流（nA） 0.3 / 1   总电容（pF） 0.6/6.0 f = 1 MHz 响应度一致性（dB） ±0.2 λ = 1530～1620 nm, T = -10～+85℃ 高速硅PIN光电探测器    特点：         高响应度         高速率         低暗电流         平面正照结构    应用：         测距         0.4—1.1m 瞬态过程         物理化学过程的快速光信号探测         用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测      光电特性（T = 22℃） 参    数 符号 典型值 测试条件 光谱响应范围（nm） λ 500~1100   光敏面直径(um)   Φ100   响应度（A/W） Re 0.3 VR=15V,λ =900nm 工作电压（V） vR 15 f=1MHz,VR=40V 击穿电压（V） vBR 40 Ir=10uA, 暗电流（nA） ID 1 VR=15V 总电容（pF） Cj 0.8 f=1MHz,VR=40V 响应时间（ns） tr 0.7 VR=15V 管座型号 同轴Ⅱ型 饱和光功率£0.1w/cm2 硅光电探测器    特点：         高响应度         高速率         低暗电流         小电容         平窗结构    应用：        光通信        工业自动化系统        光功率计        测距        可见光至近红外光领域的光探测 　    光电特性（T = 25℃,Vr =15 V, λ = 900 nm ） 参    数 φ0.5 φ1 φ2 φ4 φ6 光敏面直径(um) 0.2 1.0 2.0 4.0 6.0 响应光谱（nm） 400~1100 峰值波长（nm） 900+/-50 响应度（A/W） 0.5 工作电压（V） 1.5 3 6 15 20 暗电流（nA） 1.2 2 5 10 25 结电容（pF） 1.2 2 5.5 20 35 响应时间（ns） 1 3 3 5 5 封装型式 同轴二型 TO-5501 TO-5 TO-8 一维位敏光电探测器    特点：        大光敏面        高响应度        低暗电流        高可靠性    应用：        位置角度测量        偏转振动位移的测定        光束的测定        机器人一维视觉、平整度测量、医用机械等。    光电特性（T = 25℃） 参数 符号 指标 测试条件 光敏面（µm）   2X20   光谱响应范围（nm） λ 400～1100   响应度（A/W） Re ≥0.5 VR=5V,λ=900nm 响应时间（ns） tr 120 VR=5V 暗电流（nA） ID ≤100nA VR=5V 极间阻抗(KW) R12 30   位置分辨率(um) PR 5   反向击穿电压(V) VBR 80 IR=10μA 电容（pF） Cj 45 f=1MHz,VR=40V 工作电压(V) VR 5   管座型号 四脚陶瓷封装 饱和光功率 ≤0.5w/cm2